주모자 : 전직 삼성전자 부장·연구원급 핵심 인력
• 김 모 씨 (전 삼성전자 부장 / CXMT 개발실장): 삼성전자에서 D램 공정 개발에 관여했던 인력. 2016년 CXMT 설립 직후 개발실장으로 영입되어 10나노급 D램 기술 확보를 위한 핵심 인력 영입을 주도. 2026년 4월 파기환송심에서 징역 6년4개월·벌금 2억원 선고.
• 전 모 씨 (전 삼성전자 연구원 / CXMT 초기 개발 참여): 삼성전자의 10나노급 D램 핵심 공정정보(PRP 등 수백 단계) 를 자필 노트(12장)에 옮겨 적어 CXMT 이직 시 유출. 2025년 구속기소, 2026년 4월 1심에서 징역 7년 선고.
• 양 모 씨 (전 삼성전자 임원 / CXMT 2기 개발실장): 18나노급 D램 개발 전체를 총괄. 신 모 씨(공정개발 책임자), 권 모 씨(실무총괄)와 함께 2025년 10월 1일 구속기소.
- 조직적 유출 수법과 관련자 구성
• 전직 삼성전자·SK하이닉스 엔지니어 다수: 삼성전자 대비 3~5배 수준(15억~30억원)의 급여를 받고 CXMT로 이직.
• 위장회사를 통한 입사: 구속기소된 핵심 인력들이 위장회사를 거쳐 CXMT에 합류.
• 보안 회피 정황: 출국금지·체포 대비 암호 전파 등 사전에 수사 대응을 계획.
• 협력업체 경유 유출: 반도체 장비업체 유진테크 등을 통해 SK하이닉스 관련 기술까지 추가로 확보된 정황.
• 피해 규모: 삼성전자 매출 감소액 2024년 기준 약 5조원, 향후 국가 경제 피해는 수십조원대로 검찰 추산.
• 이 사건과 별도로 CXMT는 2026년 7월 상하이 커촹반에 상장, 세계 D램 시장 점유율은 2025년 1분기 3%→2026년 1분기 8%로 상승(세계 4위).
