1. 메모리 및 eSSD 시장 전망

• 장기 수급 불균형: DRAM과 NAND의 비트 수요 성장이 공급 성장을 크게 앞지르며 2027년까지 타이트한 시장 상황이 지속될 것으로 전망

• eSSD 심각한 부족: 공급업체들이 설비투자를 NAND보다는 DRAM에 집중함에 따라, eSSD의 부족 현상은 더욱 심각하고 장기화될 것

• 공급 제약 요인: P4 공장의 클린룸 공간 부족이 공급 성장 둔화의 주요 원인이며, 이에 따라 신규 증설보다는 기술 전환이 비트 공급을 늘리는 핵심 동력이 될 것

• 기술 전환 목표: 2026년 하반기까지 NAND는 V8 비중을 50% 이상으로, DRAM은 1b/1cnm 공정 비중을 60% 이상으로 확대할 계획

• 장기 공급 계약: 가격 변동 리스크를 방어하기 위해 1~2년에서 3~5년에 이르는 다양한 기간의 계약을 검토 중이며, 단순 물량보다는 가격 조건에 중점을 두고 있음

2. HBM 사업의 구체적 전략

• HBM4 차별화: HBM4 제품부터는 자체 파운드리를 활용한 턴키 솔루션 전략을 통해 경쟁사와 차별화할 계획

• 로직 다이 협력: 현재 HBM4에 SF 4nm 로직 다이를 사용 중이며, 향후 HBM4E 단계에서는 파운드리 파트너와의 로직 다이 커스터마이징 협력이 더욱 강화될 것

• 수익성 전망: 2026년 HBM 매출은 2025년 대비 3배 이상 성장을 목표로 하며, 시장 점유율은 비트 및 매출 기준 30% 이상을 목표로 하고 있어

• 가격 추이: 시장의 우려와 달리 2026년 HBM3E 가격이 2025년보다 개선될 가능성이 있다는 점이 긍정적인 변수

3. 파운드리 및 시스템 반도체 현황

• 미국 테일러 팹: 2026년 말 첫 웨이퍼 Tape-in을 시작으로, 공정 소요 시간을 고려할 때 2027년에 첫 Wafer-out이 가능할 전망

• 수익성 개선: 손익분기점 달성을 위해 수율 향상 속도, 규모의 경제 확보, 가동률 제고에 집중

• 선단 공정 및 패키징: 2nm 수율 진전이 예상보다 빠르며, 활용도가 낮은 레거시 라인을 첨단 패키징 시설로 전환하는 방안을 검토 중

4. DX 부문 전략 및 주주 환원

• S26 가격 정책: 메모리 부품 원가 부담을 상쇄하기 위해 차기 플래그십 모델인 갤럭시 S26의 가격을 6~16% 인상하기로 결정

• 판매량 영향: 중저가 모델보다 플래그십 모델의 가격 탄력성이 낮아 직접적인 타격은 덜하겠으나, 전체적인 판매량 감소는 불가피할 것

• 자금 환원: 2026년 상반기 내 FCF를 활용한 보너스 배당 또는 자사주 매입 계획을 발표할 예정