💡 기사 핵심 요약 (이미지 내용 보완)
• ZAM(Z-Angle Memory)이란?
기존 HBM이 수직으로 구멍을 뚫어(TSV) 연결했다면, ZAM은 사선(대각선) 구리 배선을 사용합니다. 이를 통해 발열을 획기적으로 해결하고, 같은 공간에 D램을 더 많이 쌓아 용량을 2~3배 키울 수 있습니다.
• 미·일·대만 연합의 목적
삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 HBM 시장에 의존하지 않고, 인텔의 설계 역량 + 일본의 소재/설계(사이메모리) + 대만의 제조(PSMC)를 결합해 공급망 독립을 노리는 국가 프로젝트 성격이 강합니다.
• 로드맵
• 2027년: 시제품(프로토타입) 출시
• 2029~2030년: 본격적인 양산 및 상용화 목표
이미지에서 언급된 "DDR5 가격 급등" 부분은 AI 열풍으로 모든 제조 공정이 HBM에 쏠리면서 일반 서버용 DDR5 공급이 부족해지는 시장 상황을 짚은 것입니다. 이 때문에 인텔과 소프트뱅크는 HBM보다 저렴하면서도 고성능인 ZAM을 대안으로 밀고 있습니다.
-> 양산의 벽을 넘어서는게 관건이고 29~30년에야 벌어질 일이라지만
반도체 패권 잃을까봐 무섭네 ..
