삼성전자와 SK하이닉스의 **HBM4(6세대 고대역폭 메모리)**는 AI 연산의 핵심 부품인 만큼 양사 모두 사활을 걸고 있지만, 제조 전략과 기술력의 지향점에서 뚜렷한 차이를 보입니다.
가장 큰 차이는 하단부의 **'로직 다이(베이스 다이)'**를 누가, 어떤 공정으로 만드느냐에 있습니다.
1. 주요 차이점 비교 (요약 테이블)
| 구분 | 삼성전자 (Samsung) | SK하이닉스 (SK Hynix) |
| 로직 다이 제조 | 자체 파운드리 (Samsung 4nm) | TSMC 위탁 생산 (TSMC 12nm/5nm) |
| D램 공정 | 6세대 10나노급 (1c) | 5세대 10나노급 (1b) |
| 전략 모델 | IDM 원스톱 솔루션 (설계~파운드리 통합) | 글로벌 파트너십 (SK-TSMC-Nvidia 동맹) |
| 패키징 방식 | TC-NCF (고도화 버전) | MR-MUF (개량형) |
| 양산 시점 | 2026년 초 본격 출하 예정 | 2026년 양산 목표 (샘플 공급 중) |
2. 핵심 차별화 포인트
① 로직 다이(Logic Die) 생산 방식의 차이
HBM4부터는 메모리 컨트롤러 역할을 하는 로직 다이가 시스템 반도체와 더 긴밀하게 연결되어야 합니다.
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삼성전자 (내재화 전략): 삼성은 세계에서 유일하게 메모리+파운드리+패키징을 모두 직접 할 수 있는 기업입니다. 자사 4나노 공정을 사용하여 직접 로직 다이를 제작하므로, 설계 변경이나 최적화에 기민하게 대응하는 **'원스톱 솔루션'**을 강조합니다.
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SK하이닉스 (동맹 전략): 하이닉스는 파운드리가 없기에 세계 1위인 TSMC와 손을 잡았습니다. 고객사(엔비디아 등)가 선호하는 TSMC의 공정을 활용해 호환성과 성능을 높이는 전략입니다.
② 적용 공정의 미세화 수준
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삼성전자: 경쟁사보다 앞선 1c(6세대) D램과 4나노 로직 공정을 적용해 성능과 전력 효율에서 **'초격차'**를 노립니다. 최근 발표에 따르면 데이터 처리 속도를 업계 최고 수준인 11.7Gbps까지 끌어올렸습니다.
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SK하이닉스: 이미 HBM3E에서 검증된 1b(5세대) D램 공정을 유지하며 **'수율(품질 안정성)'과 '생산 안정성'**에 집중합니다. 검증된 기술을 바탕으로 엔비디아 내 점유율을 수성하겠다는 계산입니다.
③ 패키징 공법
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삼성전자 (TC-NCF): 칩 사이에 비전도성 필름(NCF)을 끼워 누르는 방식입니다. 적층 수가 많아질수록 칩이 얇아져야 하는데, 삼성은 필름의 두께를 줄여 16단 이상의 고층 적층에서도 안정적인 구조를 유지하려 합니다.
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SK하이닉스 (MR-MUF): 칩을 쌓은 뒤 액체 형태의 보호재를 흘려넣어 굳히는 방식입니다. 열 방출이 뛰어나고 생산 효율이 좋다는 장점이 있으며, HBM4에서도 이를 개량해 사용할 계획입니다.
3. 요약하자면
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삼성전자는 "우리가 다 하니까 더 빠르고 효율적으로 최첨단 칩을 만들 수 있다"는 기술 선도형 전략입니다.
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SK하이닉스는 "최고의 파트너(TSMC)와 함께 가장 안정적이고 확실한 제품을 공급하겠다"는 시장 수성형 전략입니다.
현재까지는 SK하이닉스가 엔비디아 공급망에서 앞서 있으나, 삼성전자가 4나노 공정과 1c D램을 앞세워 HBM4에서 거센 반격을 예고하고 있는 상황입니다.
두 회사의 구체적인 성능 지표(대역폭이나 전력 소모) 비교 데이터가 궁금하신가요?
