20일(현지시간) 로이터에 따르면 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "향후 수개월 내 High-NA EUV 장비를 활용한 첫 메모리·로직 제품이 등장할 것으로 기대한다"고 밝혔다.
High-NA EUV는 기존 EUV보다 더 높은 수치개구수(NA)를 적용한 차세대 노광 기술이다. 업계에서는 이를 통해 회로 선폭을 최대 66% 더 미세하게 구현할 수 있을 것으로 보고 있다.
다만 장비 가격 부담은 여전히 변수로 꼽힌다. 로이터에 따르면 High-NA EUV 장비 가격은 대당 최대 4억달러(한화 약 6020억원) 수준에 달하는 것으로 알려졌다.
인텔은 가장 공격적으로 움직이고 있는 업체로 꼽힌다. 인텔은 지난해 12월 업계 최초로 ASML High-NA 장비를 도입했다고 발표했으며, 차세대 14A 공정 개발에 활용할 계획이라고 밝혔다.
SK하이닉스 역시 차세대 D램 개발과 양산 과정에서 High-NA EUV를 활용할 계획인 것으로 전해졌다. 전자신문은 SK하이닉스가 차세대 메모리 경쟁력 확보 차원에서 관련 기술 적용을 검토 중이라고 보도했다.
반면 삼성전자는 상대적으로 신중한 접근을 택하고 있다는 분석이 나온다. 삼성전자는 장비 구매 계약은 체결했지만 실제 본격 도입 시점은 2027년 전후로 조정하는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다.
업계에서는 삼성전자가 현재 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 안정화와 수익성 확보를 우선시하고 있다고 보고 있다. 향후 1.4나노 양산 시점에 맞춰 High-NA 장비 효율을 극대화하겠다는 전략이라는 설명이다.
TSMC도 최근 2029년 목표 공정인 A13·A12에 당장 High-NA EUV가 필요하지 않다는 입장을 내놨다. 당분간 기존 0.33 NA EUV 기반 멀티 패터닝 전략을 유지하면서 칩 설계 혁신을 통해 성능 개선을 이어간다는 방침이다.
시장에서는 향후 3년이 High-NA 경쟁의 분수령이 될 것으로 보고 있다.
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