검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노급 D램 국가핵심기술을 중국으로 유출한 삼성전자 전직 임직원 10명을 재판에 넘겼다. 중국 반도체 기업인 창신메모리(CXMT)는 이들을 통해 빼돌린 기술을 활용해 단기간에 D램 양산에 성공했다. 기술 유출로 인한 피해액은 최소 수십조원으로 추산된다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 23일 삼성전자와 SK하이닉스가 보유한 반도체 관련 국가핵심기술 유출 사건을 지난해 1월부터 약 2년간 수사한 결과를 발표했다. 검찰은 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출 등), 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등) 혐의로 창신메모리에서 개발을 총괄한 삼성전자 부장 출신 A씨 등 핵심 개발인력 5명을 구속 기소하고, 삼성전자 연구원 출신인 나머지 5명을 불구속 기소하는 등 이날까지 총 10명을 재판에 넘겼다고 밝혔다.
검찰에 따르면 2016년 5월 중국 최초의 D램 반도체 회사로 설립된 창신메모리는 삼성전자에서 받는 연봉의 3~4배를 제시하며 A씨 등 삼성전자 핵심인력을 영입하기 시작했다. 창신메모리에 영입돼 1기 개발팀을 총괄한 A씨와 1기 설비투자를 담당한 B씨는 다시 각 공정별 삼성전자 핵심인력을 영입했고, 이를 통해 삼성전자의 D램 공정기술을 확보해 단기간에 D램 개발을 완성할 계획을 세웠다. 이후 A씨와 B씨 등은 2016년 9월 창신메모리로 이직한 삼성전자 연구원 출신 C씨를 통해 삼성전자의 영업비밀인 18나노 D램 공정정보를 불법으로 취득해 D램 개발에 사용했다. C씨는 이직하면서 공정정보를 손으로 옮겨적어 통째로 유출한 것으로 파악됐다. 검찰은 C씨가 삼성전자 퇴사를 상당 기간 앞두고 창신메모리로부터 모종의 제안을 받은 뒤 장기간에 걸쳐 공정정보를 유출한 것으로 의심한다. 유출된 자료는 D램의 PRP(Process Recipe Plan) 정보로, 약 600단계로 구성된 D램 제조공정의 각 공정별 공정명, 각 공정에 사용되는 설비정보 등 D램 공정기술의 가장 핵심적인 정보다.
이 과정에서 A씨 등은 위장회사를 통한 입사, 인근 도시를 경유한 입국, 귀국시 휴대전화와 USB 반납, 주기적인 사무실 변경, 출국금지·체포시 암호 전파 등 향후 수사에 대비한 것으로 나타났다. A씨는 지난해 1월 관련 사건으로 구속 기소돼 2심에서 징역 6년이 선고됐고, 대법원 상고심이 진행 중이다. 검찰은 수사 결과를 토대로 이날 A씨를 추가로 기소했다. 검찰은 중국에 머무는 C씨 등 2명은 인터폴 적색수배하고 여권 무효화 조치했다.
창신메모리는 D램 개발을 위한 핵심자료를 확보하자 2018년 2월 삼성전자 임원인 D씨를 2기 개발실장으로 영입하고 본격적으로 D램 개발을 진행했다. D씨, 개발팀장 E씨, 개발수석 F씨 등 2기 개발팀은 1기 개발팀으로부터 공정정보를 전달받아 2018년부터 2023년 초까지 중국 설비에 맞도록 수정·검증해 결국 D램 개발에 성공했다. 검찰 수사에서 창신메모리 클린공정 담당 G씨가 2020년 6월 SK하이닉스 협력업체를 통해 SK하이닉스의 국가핵심기술이자 영업비밀인 D램 공정정보를 불법으로 취득한 사실도 추가로 확인됐다.
유출된 기술은 D램 세계시장 점유율 1위인 삼성전자가 5년 동안 약 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 것이다. 창신메모리는 삼성전자로부터 빼돌린 기술을 활용해 2023년 세계 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다.
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