(맨 밑에 요약 있음)

1. 메모리 반도체 업계의 지각변동 (Feat. 중국발 쓰나미가 밀려온다)

최근 메모리 반도체 업계에는 전례 없는 쓰나미가 밀려오고 있음.

여기서 쓰나미라는 단어에 의문을 품는 사람들이 있을 거임

메모리 업계 (D램)는 삼성전자-SK하이닉스-마이크론 3개 기업이 평정한지 10년도 더 넘었음.

불황이 오건 호황이 오건 무슨 일이 생기더라도 저 3개 그룹 사이에서 점유율 변화가 생길 일이지. 다른 이변이 있을수가 없음.

근데 최근 이 구도에 지각변동이 생기고 있음.

바로 중국 공산당의 막대한 지원을 등에 업은 CXMT임

여기서 잠깐 본론으로 들어가기 전에 메모리(D램) 기업들의 기술 로드맵을 살펴보자

이건 삼전-하닉의 D램 공정별 양산 시기를 나타낸 표인데 표를 보면 알 수 있듯

1x -> 1y -> 1z -> 1a -> 1b -> 1c 순으로 기술이 개발된다는 걸 알 수 있음.

정확한 의미는 몰라도 됨. 그냥 순서가 저렇구나~

여기서 

1x -> 1y -> 1z 까지의 3개 세대는 DDR4

1a -> 1b -> 1c 까지의 3개 세대는 DDR5 

로 구분함

정리하면  기업들은

DDR4 : 1x -> 1y -> 1z 

이후

DDR 5: 1a -> 1b -> 1c 

의 순서로 개발하고 있구나! 까지 이해하면 됨.

이제 본격적으로 CXMT를 포함한 4사의 기술 로드맵을 보면

다음과 같은데 이 표를 보면 알 수 있듯 CXMT의 기술력이 확실히 3사에 비해서는 밀리는걸 알 수 있음

다만 표에 나와있듯 작년부터 1x (DDR4)의 메모리가 생산되기 시작한게 문제임.

그것도 중국 정부의 무지막지한 지원아래 무지성으로 캐파를 확장하며 DDR4를 찍어내고 있음.

그 여파가 본격적으로 밀려오기 시작한게 올해 하반기부터임. 

표를 보면 구형 메모리 찍어내는 게 그렇게 영향이 큰가? 생각할 수 있지만 

구형이지만 DDR4는 아직 현역이라는게 문제고 삼전은 특히 그 구형 DDR4 재고가 많은 상황임.

그동안 메모리 시장의 호황을 점쳐오던 국내외 증권가에서 최근 갑자기 시장에 대한 전망을 기존보다 안좋게 보기 시작한 이유는 CXMT의 무지성 캐파확장모드와 제품찍어내기로 인한 여파가 가시적으로 나타나고 있기 때문임.

여기서는 잠깐 반도체산업 갤러리에 쓰인 다음 글을 인용하겠음.

2. 3강체제에서 4강체제로 재편되는 메모리 반도체 업계

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https://gall.dcinside.com/mgallery/board/view/?id=tsmcsamsungskhynix&no=8968
원 글쓴이 : 빙자 올돌골

최근들어 대두되는 DDR4 현물가격 횡보에는 CXMT발 증산으로 인한 중국내 DDR4 수요부진이 그 원인 중 하나라고 알려진 바 있다. 이에 증권사들의 한국 메모리 메이커의 연이은 목표가/실적추정치 하향에 더불어 첨부된 CXMT 관련 분석/코멘트들을 한번 정리해본다. 인용한 리포트들은 노무라(9월 3일), 모건스탠리(9월 5일) 발간임.

모든 번역은 의역이 포함되어 있으며 틀릴 수 있고 이 글은 매수 매도 추천글이 아님을 유의하자.

I. 노무라: CXMT의 캐파 증설이 눈에 띄는 수준

CXMT는 17nm급 DDR4와 LPDDR4를 생산한다. 현재 웨이퍼 캐파는 이미 160kpm에 도달했으며 업계 예측에 의하면 24년 연말 웨이퍼 캐파가 200kpm에 육박할 것으로 추정된다(마이크론 24년 연말 캐파 추정치의 54% 수준). [YMTC와는 달리] 반도체 장비 구매제한 entity list에 오르지 않은 CXMT는 18nm DRAM 반도체 장비 구매로 재빠르게 18nm DRAM 캐파를 확장했으며 최근들어 17nm 장비 램프업을 하고 있는 것으로 보여진다. 공격적인 DRAM 생산을 통해 CXMT는 중국 내 중저가 스마트폰, PC, 소비자 가전 시장에 빠르게 침투하고 있다.

CXMT의 160kpm 웨이퍼 캐파는 현재 전체 DRAM 시장 웨이퍼 캐파의 10% 이며 비트 캐파로는 5%에 해당한다. 2025년 예정된 대로 300kpm 웨이퍼 캐파확장이 이루어 진다면 전체 DRAM 시장 웨이퍼 캐파의 15%, 비트 캐파의 7%를 차지하게 된다. 동사의 제품 경쟁력과 비용은 삼하마에 비견될 수준은 아니며 중국 외 시장에서는 지적재산권 문제로 인해 사용이 어려울 수 있지만 향후 정부의 지원으로 말미암아 중국 내 디바이스 시장을 침투/잠식할 것으로 예상한다.

II. 모건스탠리: 중국의 반도체 내재화 전략

중국 메모리 메이커들이 정책지원의 수혜를 받아 공격적으로 메모리 시장에 투자하고 있다. 2025년말 기준 우리는 중국 메모리 팹이 DRAM 캐파의 16%를, NAND 캐파의 8%를 차지할 것으로 예상한다[노무라와 비슷한 수치 예측 - 15%]. 중국 시장은 2023년 글로벌 메모리 수요의 30%- 300억 달러 시장 -를 차지했었다. CXMT와 YMTC와 같은 중국 팹들은 글로벌 메이커들과의 격차를 줄여가고 있다. 캐파확장에 따른 보조금 뿐만이 아닌 기기 구매자들에게까지 보조금을 지급하는 두가지 정부지원에 힘입어 중국은 중기 혹은 장기적으로 메모리 [일부]자급자족(self-sufficiency)의 목표를 이룰 수 있을 것으로 예상한다.

CXMT는2025년말까지 300kpm 웨이퍼 캐파에 도달할 것일라고 가이던스를 제시한 바 있으며 이는 현재 글로벌 3위 기업인 마이크론의 웨이퍼 캐파(335kpm)와 유사하다. CXMT의 기술노드는 현재 최신 기술보다 2-3세대 뒤떨어진 1Y 16nm이다. NAND 시장에서는 YMTC가 아직 국산 장비를 테스팅하는 중이며 식각과 노광에서 큰 진전을 이루지 못해 CXMT에 비해 더딘 발전을 보이고 있다. 트렌드포스에 따르면 YMTC는 2025년 캐파확장의 속도를 줄여 당초 계획인 100kpm보다 적은 40kpm 웨이퍼 캐파를 추가할 것으로 알려졌다. 결국에는 YMTC의 세 팹(Fab1, Fab2, Fab3)는 모두 월간 100k 웨이퍼 캐파를 달성할 것으로 예상되지만 타임라인은 불분명하다.

중국 메모리 플레이어들이 전체 메모리 사이클에 영향을 미치기 시작했다. 중국 스마트폰 OEM이 정부 보조금을 받으려면 25% 이상의 부품을 국산품을 이용해야 하는 조건을 수혜로 CXMT는 글로벌 플레이어들에게 위협적인 존재로 등장했다. 현재 CXMT의 80% 이상의 캐파가 DDR4 생산캐파이다. 24년 3분기 현재 중국 스마트폰 OEM은 보수적인 메모리 조달 전략으로 인해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 모바일 DRAM 가격을 쉽게 받아들이지 않고 있다. CXMT의 캐파증설로 DDR4는 현재 과잉공급 상태이다(currently in oversupply). 우리의 채널 체크에 의하면 몇몇의 중국 스마트폰 고객사들은 3분기 DRAM 가격협상에 4분기 가격협상을 함께 하려고(bundle deal) 시도하고 있는 것으로 밝혀졌고 이런 협상이 성사된다면 [LPDDR4] DRAM 가격 트렌드는 QoQ 플랫화 될 것이다.

<트렌드포스 추정 2025년말 메모리 공급사별 DRAM 웨이퍼 캐파 - CXMT의 캐파증설 계획에 따르면 25년 마이크론(335)과 CXMT(300)의 캐파는 거의 비슷해지게 된다>

내년부터는 생산캐파 측면에서는

기존 삼성전자 - 하이닉스 - 마이크론 3강 체제에서

삼성전자 - 하이닉스 - 마이크론 - CXMT 

4강 체제로 개편됨

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3. 중국발 쓰나미에 대피하지 못한 삼성전자

DDR4는 중국의 침투로 공급과잉이 된 상황

그럼 이 상황에서 기존 3사가 취해야 할 전략은 무엇일까? 

그간 쌓아온 역량 및 아직은 충분히 벌어져있는 기술격차를 이용해 DDR5로 도망가야 하는 수 밖에 없음. 

쓰나미가 몰려오니 고지대로 대피하는 것과 똑같음.

문제는 SK하이닉스와 마이크론은 성공적으로 대피했는데 삼성전자는 수년간 수뇌부의 잘못된 의사결정으로

1a -> 1b -> 1c에 이르는 DDR5 기술 전체가 실패했다는 데에 있음.

삼성전자가 DDR4까진 개발을 잘하다가 DDR5에서 망가진 데에는 여러 이유가 거론됨.

1. 신기술이라 노하우를 충분히 익히지 못했던 EUV를 타사 대비 한번에 너무 무리하게 적용한 것

2. 최고 경영진이 호황기에 실적을 잘 뽑기위해 각종 미래 기술 연구개발팀을 돈이 안된다는 이유로 해체한 것 

3. 거기에 한 술 더 떠 연구개발에 투입할 장비까지 양산에 투입하는 바람에 연구소가 사실상 멈춰버린 것

(※ 이 시기에 연구소는 장비를 사용할 수 없어 상상 개발(?)의 형태로 돌아가기도 했다는 후문이 있다.

요리로 비유하면 맛을 안보고 요리를 개발하는 상황과 비슷할까?)

다양한 이유가 있지만 결정적인 이유는

4. 하이닉스-마이크론과는 달리 1a / 1b / 1c 3세대의 기술을 동시에 개발하다 이도 저도 못하고 망했다에 의견이 모아짐. 

원래는 기껏해야 최대 2세대의 기술을 동시개발하며

다음 세대를 개발할때는 이전 세대 기술개발 과정을 통해 겪은 시행착오를 통해 얻어진 각종 노하우와 기술를 통해 다음 세대를 개발하는 것이 정석적인 방법이라고 함.

이는 업계 최고 기술력을 가진 SK하이닉스의 1c 개발 비화를 봐도 알 수 있음

다음은 SK하이닉스의 보도자료인데 , 1b D램에서 얻어진 노하우를 1c에 적용하여 시행착오를 줄이고

1b의 강점을 1c로 옮겨올 수 있었다고 함.

하지만 삼성전자는

1번 - 2번 - 3번의 실책으로 기존 두터웠던 기술적 격차가 크게 좁혀지고 경쟁사가 바짝 뒤쫓은 상황에서

다시 경영진이 3세대 기술 동시 개발이라는 희대의 무리한 결정을 내리며 마침내 경쟁사들과 기술격차가 역전되기 시작함.

22년 기사인데 당시 1b 개발을 실패하면서 나왔던 얘기임

타사와는 달리 무리하게 1a 1b 1c를 동시에 개발하면서 인력과 장비는 3등분 되었고 한 사람당 과도하게 업무가 분담되며 능률이 떨어짐

가장 큰 문제는 이전 세대의 노하우를 다음 세대 개발에 적용하여 시행착오로 인한 각종 시간과 비용을 줄일수 있었던 하이닉스와는 달리 저렇게 3세대 동시 개발을 한다면 이전 세대의 노하우를 다음세대에 적용할 수 있을까?

결국 이 시기 삽질의 여파가 지금까지 크게 이어져 오고 있는데

1) 1b 수율이 저조하여 자사 갤럭시 조차에도 탑재가 될 지 불투명하고

2) 1b 수율이 저조한 덕분에 SK하이닉스와 마이크론이 1b기술로 HBM을 만들어 엔비디아에 납품할때

삼성전자는 홀로 이전세대인 1a 기술로 만들어 퀄테스트를 받고 있다는 것이고 

3) 이전세대인 1a 기술조차 시원치 않아 24년이 다 끝나가는 시점에 이제와서 1a 재설계를 검토하고 있다는 것이고

4) 차세대 HBM4에 들어갈 1c 디램에선 하닉이 초기수율을 60%대로 뽑고 있을 때 삼전은 수율이 한자리수로 아주 절망적이라는 것과

5) 

이렇게 앞서 말했 듯 DDR5 1a - 1b -1c가 다 망하고 경쟁력 있는 제품이 DDR4밖에 없는 상황에 

중국 CXMT는 삼전이 현 상황에서 유일하게 경쟁력있는 제품인 DDR4를 무지성으로 찍어내 공급과잉으로 가격 하락을 유도하

며 중국 내수시장을 잠식하고 있는 상황을 보면

왜 외국인들이 요즘 들어 미친듯이 삼전을 팔아재끼고 오늘 (24.10.22) 기준 58000원 선이 무너졌는지 

반도체에 대해 전혀 몰라도 여기까지 읽었다면 충분히 이해할 수 있을꺼라 생각함.

4. 미국 정부가 세운 방파제

이러한 절체절명의 위기 상황에 삼전에겐 천만 다행인 점이 몇가지 있다.

1. 바로 현금을 100조 넘게 들고 있어 몇년간 크게 침체기를 겪어도 버틸 체력은 있다는 것과

2. 미국 정부의 압박으로 ASML의 EUV장비와 일부 DUV 장비를 중국은 구매하지 못하고 조만간 유지보수까지 막아버릴 예정이라는 것  

(※ DDR4와는 달리 DDR5 아무리 못해도 1c 부터는 EUV 장비가 본격적으로 쓰이기 시작함. 

따라서 CXMT가 다음 세대인 DDR5 시장으로 진입하기는 어려움) 

3. 미국 정부가 CXMT도 블랙리스트에 추가할려고 하고 있어 앞으로 CXMT는 노광기 뿐만 아니라 식각, 증착 등 다른 공정의 장비 확보도 매우 어려워질 것으로 예상된다는 것이다.

물론 미국 정부가 특별히 삼전을 예뻐해서 해주는 건 아니고

1. 중국과의 패권 경쟁을 이기기 위해선

2. 미래 패권 경쟁의 핵심인 AI 개발을 중국이 못하도록 막아야 하는데 

3. 그러기 위해선 AI 개발에 쓰이는 엔비디아 / AMD의 AI 반도체가 중국에 유입되지 않도록 막아야하고

4. 추가적으로 중국이 자체 AI 반도체를 개발하지 못하게 방해하는 것도 필수적인데

5. 그렇게 하기 위해선 AI 반도체에 탑재되는 HBM을 만들지 못하게 막아야 하고

6. HBM을 만들지 못하게 하기 위해선 그 안에 들어가는 DDR5를 만들지 못하게 해야 하고

7. DDR5를 만들지 못하게 하기 위해선 중국 최대 D램 기업인 CXMT의 장비 수급을 막으면 되겠구나!

하는 일련의 사고 회로를 거쳐서 나오고 있는 규제들인데 

기술적으로 최대 위기를 맞고 있는 삼전이 겸사겸사 큰 수혜를 입게 된 것이다.

삼전은 당분간 큰 기술 공백이 생기며 CXMT의 DDR4 물량공세에 크게 휩쓸려 영업이익이 많이 깎이겠지만 

미국 정부가 쌓아준 방파제 / 지금까지 쌓아온 현금과 캐파 및 기술인력을 이용해 그 간의 잘못을 바로 잡고 고지대로 대피한다면

예전과 같은 위상을 다시 회복할 수도 있지 않을까? 여기서부턴 지금의 인텔이 그렇듯 전적으로 삼전 경영진의 능력에 달렸다.

4줄 요약

1. 메모리 반도체 업계에 역대급 전례없는 쓰나미 (중국 공산당, CXMT)가 해변(DDR4)에 밀려옴

2. 하이닉스, 마이크론은 고지대(DDR5)로 대피하는데 성공했지만 삼전은 기술적으로 실패한 상황이라 그러지 못했음. 최근 주가 박살나고 있는건 이런 이유임

3. 쓰나미에 휩쓸릴 위기에 미국이 튼튼한 방파제 세워줌. 방파제가 버텨줄 동안 다시 재정비해서 고지대로 올라가야 함

4. 사실 하이닉스, 마이크론도 다행인 상황임.

잘모르니 베댓펌.....

근데 이 이야기 나오면 한번 써보고 싶었는데

이런거보고 미국 보호 무역이라는 애들이 있는데 정확히는 오히려 중국 불공정 무역에 대한 철퇴임.

중국이 아니라 저기 어디 였으면 10년전에 슈퍼301조로 죽었음.

뭐 미국도 보조금 준다 하는데 그건 미국에 공장세우면 어디 나라애들이라도 줌. 그게 아니더라도 세계 각국이 주는 돈 하고 차이 많이남

중국은 아예 공산당 소유기업으로 의심 받는 기업도 있을 정도로 보조금이 심각하고 지재권 무시가 심해서 그것 대문에 미국 유럽 등이 관세 때리는거임

오히려 너무 지금까지 중국 의존도가 심해서 세게 못때려 온거지 아니면 예전에 죽었음.

솔직히 삼성은 노키아나 모토롤라 인텔 꼬라지 나도 이상하지 않은 상황이었는데

중국 덕분에 경영 삽질한 거 만회할 기회를 얻었지


근데 지금 경영진들이 책임 회피로 일관하는 상황에서

이 좋은 기회로 구사일생 할 수 있을지는.... 모르겠네

여러분 삼전 사지말고 국장 사려면 하이닉스 사십쇼. 지금와서 삼전 1a 재설계라는 의미는 우리 HBM 기초부터 조졌고 3E는 물론이거니와 HBM4, 멀게보면 4E까지 포기하고 HBM5에 승부건다는 의미임. 다시말해 본진 D램 망해서 빨라야 2027년부터 승부수 띄운다는 소리인데 얼마나 조졌는지 슬슬 감이 옴???
삼전도 어떻게든 HBM 살리려고 엔디비아가 너네 TSMC보다 30%이상 낮은 가격에 공급하라고 협박하는데도 울면서 그 가격에 HBM 퀄 통과하려고 똥꼬쇼하는게 지금 상황임.
거기다 본문에서 언급했듯이 DDR4는 중국이 거의 다 따라와서 물량공세하기 시작하면 삼전 매출비중이 크게 줄어들수밖에 없음.
매년 망했다는 소리 나오는 파운드리는 S25에 탑재예정이었던 엑시노스2500 수율이 20~30%(대신증권 리포트 출처)라서 폐기처분 직전이라는 소문이 흉흉함.

궁금증)
잘몰라서...))
반도체 굴기 한다고 해서 중국이 매년 수십~백수십조 뿌린댔던데 몇년 전 기사인데
이걸 대비안한건가...?

그리고 삼성 초격차 해놓았다는 이건희 전 회장 타계한지 이제 몇년인데 그사이에 다 다따라잡힌건 아니어도 그 격차가 매우줄어든건가...?
직접 위협되는 경쟁수준은 아니어도 갑자기 삼성반도체가 이상해진거같음 언론위주로 보면...
뭐징.....

그냥 기술 트렌드 예측에 실패한거임. 삼전은 HBM도 하이닉스보다 앞섰는데 돈 안될것같아서 팀 해체해버림. 하이닉스는 적자 감수하면서 끝까지 HBM 밀어붙임. 결국 선두에 서서 HBM3 양산 성공해버렸는데 마침 AI붐까지 오면서 고성능 디램 수요가 폭발하면서 역대급 호황을 맞이하게됨.

ㅊㅊㄷㅇㅋㅍ